清華團隊攻克EUV光刻膠瓶頸，用聚碲氧烷實現18nm線寬新紀錄，為下一代EUV光刻膠設計奠定框架
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來源：DeepTech深科技 更新時間：2025-09-18 15:00:13 [我要投稿] |
| 本月中旬，曾有外媒指出中國若想在芯片技術上取得更大進步，還需在光刻技術上加倍奮進[1]。目前，中國高端光刻膠市場主要依賴日本進口，而光刻膠作為光刻技術中核心且不可替代的關鍵材料，其性能直接決定了光刻工藝的精度、效率和最終器件的質量。就在上述媒體發文 ...[查看原文] |
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