成熟制程 vs 先進制程：壓力測量的全面升級

　　當制程節點突破28nm，特別是進入FinFET、GAA等先進架構領域，半導體制造已進入全新的戰場：

　　復雜度躍遷：工藝步驟激增，每個腔室中的壓力波動直接影響原子層沉積與刻蝕精度

　　污染控制紅線：顆粒物容忍度從Class 1000（ISO 6）驟降至Class 1（ISO 3），SEMI標準正以指數級收緊

　　環境極限挑戰：高溫等離子體、強腐蝕性氣體（Cl?、HF）、超臨界CO?清洗介質成為常態

　　某3nm晶圓廠工藝主管坦言：“壓力傳感器的失效直接導致整批晶圓返工，單次損失超200萬美元。”

　　高純壓力測量的五大生死劫

　　潔凈度陷阱

　　傳感器材料析出納米級顆粒

　　死體積滯留殘留氣體

　　密封界面成為污染源 良率殺手：單顆0.1μm顆粒可摧毀整顆GAA晶體管

　　腐蝕性介質吞噬

　　傳統316L不銹鋼在ClF?蝕刻氣體中72小時失重超15%

　　傳感器膜片被HF蒸氣穿透導致永久失效

　　精度漂移困局

　　300℃高溫下傳統傳感器每月漂移超0.5%FS

　　工藝波動要求十年穩定性優于0.1%/年

　　微弱信號捕獲困境

　　FinFET刻蝕壓力波動范圍<50Pa

　　機電噪聲淹沒有效信號

　　量產一致性魔咒

　　百級潔凈間裝配的傳感器顆粒物控制差異達20倍

　　材料批次波動導致靈敏度離散超3%

　　這些痛點正在吞噬萬億級的產業投入——當EUV光刻機將圖案精度推向物理極限，壓力測量的微小誤差會在原子層堆疊中放大為災難性缺陷。但正是這些生死考驗，催生著顛覆性的傳感技術革命。